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静電誘導と導電率ーつづき

前(2022年12月12日)に静電誘導と導電率の関係,つまり,電荷緩和時間に応じて誘導電荷が現れることを示した.このとき,静電誘導が現れる物体は接地しているとした.ここでは,この物体が絶縁されているとして計算する.

物体が絶縁されている場合

図3aに示すような一次元モデルで考える.これの等価回路は3bのようになる.電圧Vから距離d_1離れた位置に,厚さd_2の物体がある.この物体の誘電率\varepsilon,抵抗率は\rhoとする.物体は接地から距離d_3離れて絶縁されている.この物体の初期表面電荷は0であり,帯電されていないとする.このとき,物体と空気の界面での表面電荷密度\sigma_{f12}および\sigma_{f23}を求める.ただし,

(8)   \begin{equation} \label{eq:surfaceCharge} \sigma_{f12} = -\sigma_{f23} \end{equation}

の関係が成り立つ.それぞれの界面での電荷保存式から,つまり,等価回路からも

(9)   \varepsilon_0 \frac{d E_1}{dt} = \frac{E_2}{\rho} + \varepsilon \frac{d E_2}{dt} = \varepsilon_0 \frac{d E_3}{dt}

となる.電圧V

(10)   V = E_1 d_1 + E_2 d_2 + E_3 d_3
式(10)の時間微分で,t \gt 0\frac{dV}{dt} = 0,式(9)の\frac{d E_3}{dt}=\frac{d E_1}{dt}より,

(11)   \frac{dE_1}{dt} = -\frac{d_2}{d_1 + d_3}\frac{dE_2}{dt}
を得る.これを式(9)に代入して

(12)   \frac{d E_2}{dt} + \frac{E_2}{\tau} = 0

を得る.ただし,

(13)   \tau = \rho \left(\varepsilon + \varepsilon_0 \frac{d_2}{d_1 + d_3}\right) = \rho \varepsilon_0 \left(\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0}  + \frac{d_2}{d_1 + d_3}\right) = \rho \varepsilon_0 \left(\varepsilon_r + \frac{d_2}{d_1 + d_3}\right)

である.t=0で物体の上下とも表面電荷密は0であるから

(14)   \varepsilon_0 E_1|_{t=0} = \varepsilon E_2|_{t=0} = \varepsilon_0 E_3|_{t=0} \Rightarrow E_1|_{t=0} = E_3|_{t=0} = \frac{\varepsilon}{\varepsilon_0}E_2|_{t=0}

これを式(10)に代入して,E_2の初期値は

(15)   E_2|_{t=0} = \frac{V}{d_2 + \frac{\varepsilon}{\varepsilon_0}(d_1 + d_3)} = \frac{\frac{V}{d_1 +d_3}}{\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} + \frac{d_2}{d_1 + d_3}}

したがって

(16)   E_2 = \frac{\frac{V}{d_1 +d_3}}{\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} + \frac{d_2}{d_1 + d_3}}e^{-t/\tau}

また,E_1およびE_3の初期値は

(17)   E_1|_{t=0} = E_3|_{t=0} =  \frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} E_2|_{t=0} = \frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} \frac{\frac{V}{d_1 +d_3}}{\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} + \frac{d_2}{d_1 + d_3}}

ここで,E_1E_3は初期値が等しく,時間微分も等しいので,

(18)   E_1 =E_3

である.これは,式(8)の表面電荷密度の関係からも明らかである. 式(11)から

(19)   E_1 = -\frac{d_2}{d_1 + d_3} E_2 + A

とおいて,式(16)と式(17)から

(20)   \frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} \frac{\frac{V}{d_1 +d_3}}{\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} + \frac{d_2}{d_1 + d_3}}= -\frac{d_2}{d_1 + d_3} \frac{¥frac{V}{d_1 +d_3}}{\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} + \frac{d_2}{d_1 + d_3}}+ A \Rightarrow A= \frac{V}{d_1 +d_3}

したがって,

(21)   E_1 =E_3 = -\frac{d_2}{d_1 + d_3} \frac{\frac{V}{d_1 +d_3}}{\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} + \frac{d_2}{d_1 + d_3}}e^{-t/\tau} + \frac{V}{d_1 +d_3}

よって,求める表面電荷密度は

(22)   \sigma_{f12} = -\sigma_{f23} = -\varepsilon_0 E_1 + \varepsilon E_2=\frac{\frac{V}{d_1 +d_3}}{\frac{\varepsilon}{\varepsilon_0} + \frac{d_2}{d_1 + d_3}}e^{-t/\tau} \left(\varepsilon_0 \frac{d_2}{d_1 + d_3} + \varepsilon \right) - \varepsilon_0 \frac{V}{d_1 + d_3}

    = -\varepsilon_0 \frac{V}{d_1 + d_3} \left(1 - e^{-t/\tau} \right)

となる.

静電誘導が現れるまでの時間は,接地した場合と同様であり,抵抗率との関係は図2で表される.つまり,抵抗率の選定により,導体と同様な静電誘導電荷が現れるまでの時間が遅延し,火花放電を防止できることを示している.